振荡缓冲器

摘要

本发明提供一种振荡缓冲器，以并联方式耦接振荡源，用以提供预设频率的预设波形给核心电路，核心电路具有多个操作在核心电压的MOS晶体管。振荡缓冲器包括反相器，耦接于核心电压与接地之间，用以放大来自振荡源的输入信号。反相器具有一或多个MOS晶体管，且反相器的MOS晶体管的栅极氧化层的厚度实质上等于核心电路的MOS晶体管的栅极氧化层的厚度。本发明所述的振荡缓冲器简化了振荡缓冲器的制造程序，并减少了成本。

主权项

一种振荡缓冲器，其特征在于，耦接一振荡源，该振荡缓冲器提供具有一预设频率的一预设波形给一核心电路，该核心电路具有多个操作在一核心电压的金属氧化物半导体晶体管，该振荡缓冲器包括：一反相器，耦接于该核心电压与一接地之间，用以放大来自该振荡源的一输入信号；其中，该反相器具有一或多个金属氧化物半导体晶体管，且该反相器的该金属氧化物半导体晶体管的栅极氧化层的厚度等于该核心电路的该金属氧化物半导体晶体管的栅极氧化层的厚度。