反型外延片制备方法

摘要

本发明涉及一种外延片制备方法，尤其涉及一种在P型衬底上制备N型外延层的反型外延片的制备方法。该方法打破传统工艺中制备外延片时温度和氢气流量保持不变的制备方法，在制备本征阻挡层时提高了单片炉炉内的温度和通入氢气的流量，使大量的系统杂质被带出反应室，增加系统洁净度，保证了本征阻挡层高的电阻率，即使生长的本征阻挡层纯度更高，阻挡衬底杂质外扩的能力更强。

主权项

一种反型外延片制备方法，该方法通过将P型衬底硅片放置在单片炉中，通以氢气，在氢气气氛下沉积本征阻挡层及外延层，具体包括以下步骤：1)在单片炉中通以氢气，在800～950℃下用机械手将硅片放置到单片炉中，将温度升温至1140～1150℃，氢气流量：20～80L/min；2)烘烤去除氧化层；通以氯化氢进行化学气相抛光；3)通以三氯氢硅生长本征阻挡层，三氯氢硅流量：3～8L/min；4)关闭三氯氢硅，赶气50～120秒；5)通以三氯氢硅和PH3的混合气体生长外延层，三氯氢硅流量：12～18L/min；6)降温至800～950℃下机械手取片，氢气流量降至10～40L/min；其特征在于：生长本征阻挡层时将炉温升至1170～1210℃，氢气流量增大至100～200L/min；生长外延层时，炉温再降至1140～1150℃，氢气流量降至20～80L/min。