输出驱动级的静电放电保护装置

摘要

本发明提供一种输出半导体芯片的驱动级的静电放电(ESD)保护装置。该输出级的ESD保护装置包含具有连接至第一源电压的源极的P通道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、以及具有连接至第二源电压的源极的N通道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，该等金属氧化物半导体晶体管具有被施加来自内部电路的输出讯号的闸极以及连接至输出接点的漏极，其中形成在金属氧化物半导体晶体管的漏极区域和多晶闸极上的接点之间的距离相对大于依据预定设计准则的数值。

主权项

一种输出驱动级的静电放电保护装置，包含：一P通道金属氧化物半导体晶体管，具有连接至一第一源电压的一源极；以及一N通道金属氧化物半导体晶体管，具有连接至一第二源电压的一源极，该等金属氧化物半导体晶体管具有施加来自一内部电路的输出讯号的闸极、以及连接至一输出接点的漏极，其中形成在该等金属氧化物半导体晶体管的一漏极区域以及一多晶闸极上的复数个接点之间的一距离相对大于根据一预定设计准则的一数值。