| 发明名称 | 固体摄像装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种固体摄像装置的制造方法。本发明能够提供一种不依赖于SOI基板而解决了因智能剥离法的异物而导致的问题的背面照射型的固体摄像装置。包括以下步骤：在硅基板(11)上形成硅外延生长层(12)；在所述硅外延生长层(12)上形成光电转换部(21)、传输栅极(23)、以及周边电路部(未图示)，并在所述硅外延生长层(12)上形成布线层(31)；在所述硅外延生长层(12)侧的所述硅基板(11)中形成分离层(13)；在所述布线层(31)上形成支撑基板(14)；以及从所述分离层(13)剥离所述硅基板(11)并在所述支撑基板(11)侧残留由所述硅基板(11)的一部分构成的硅层(15)。 | ||
| 申请公布号 | CN101783321A | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN201010004305.1 | 申请日期 | 2010.01.20 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 酒井千秋 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 宋鹤;南霆 |
| 主权项 | 一种固体摄像装置的制造方法，包括：在硅基板上形成硅外延生长层的步骤；在所述硅外延生长层上形成光电转换部、传输栅极以及周边电路部，并在所述硅外延生长层上形成布线层的步骤；在所述硅外延生长层侧的所述硅基板中形成分离层的步骤；在所述布线层上形成支撑基板的步骤；以及从所述分离层剥离所述硅基板并在所述支撑基板侧残留由所述硅基板的一部分构成的硅层的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||