| 发明名称 | Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：采用射频磁控溅射方法，将纯度为4N以上的ZnO和高纯Cu粉末混合压制成所需靶材；步骤2：在氩气和氧气混合气体环境中将靶材溅射沉积在衬底之上形成薄膜；步骤3：将形成薄膜的衬底进行退火处理，得到Cu掺杂的p型ZnO薄膜材料。本发明可以解决IB族元素难于实现p型ZnO材料制备的难题。 | ||
| 申请公布号 | CN101781749A | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN201010106765.5 | 申请日期 | 2010.02.03 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 杨晓丽;陈诺夫;尹志岗 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：采用射频磁控溅射方法，将纯度为4N以上的ZnO和高纯Cu粉末混合压制成所需靶材；步骤2：在氩气和氧气混合气体环境中将靶材溅射沉积在衬底之上形成薄膜；步骤3：将形成薄膜的衬底进行退火处理，得到Cu掺杂的p型ZnO薄膜材料。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||