发明名称 二段式太阳能电池的制造方法
摘要 本发明提出了一种二段式太阳能电池制造方法,包括:1、制造基板;2、在基板上形成掩膜层,并在所述掩膜层表面制成开口,所述开口具有不同的宽度,在电极位置的开口宽度大于在其他位置的开口宽度;3、进行杂质扩散,使位于开口宽度较大处的杂质浓度高于位于开口宽度较小处的杂质浓度;4、在表面形成反射防止膜并形成电极。本发明仅采用一次扩散技术,实现与现有的二段式太阳能电池相同的技术参数,具有更好的接触电阻、较高的转换效率,同时又能减少生产工艺步骤、降低成本。
申请公布号 CN101783372A 申请公布日期 2010.07.21
申请号 CN200910001959.6 申请日期 2009.01.21
申请人 和舰科技(苏州)有限公司 发明人 吴月花;王政烈
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01M14/00(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 代理人 郑光
主权项 一种二段式太阳能电池制造方法,包括:步骤1、制造基板;步骤2、在基板上形成掩膜层,并在所述掩膜层表面制成开口,所述开口具有不同的宽度;步骤3、进行杂质扩散,使掩膜层下方开口宽度较大处的杂质浓度高于位于开口宽度较小处的杂质浓度;步骤4、在表面形成反射防止膜并形成电极。
地址 215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号