发明名称 |
内建启动晶体管的功率晶体管芯片及其应用电路 |
摘要 |
一种内建启动晶体管的功率晶体管芯片及其应用电路,以结型场效应晶体管配合金属氧化物半导体场效应晶体管来作为交/直流电压转换电路的启动电路,以在交/直流电压转换电路的脉宽调制电路开始正常工作后,可以关闭启动电路的运作,以节省功率的消耗。此外,并将结型场效应晶体管与金属氧化物半导体场效应晶体管内建于功率晶体管芯片中,由于结型场效应晶体管与金属氧化物半导体场效应晶体管均可用功率晶体管的相同工艺来制作,故不会增加额外的掩膜与工艺,而可简化工艺、节省成本。 |
申请公布号 |
CN101783344A |
申请公布日期 |
2010.07.21 |
申请号 |
CN200910002712.6 |
申请日期 |
2009.01.19 |
申请人 |
立锜科技股份有限公司 |
发明人 |
黄志丰 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L27/085(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H02M3/335(2006.01)I;G05F1/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
蹇炜 |
主权项 |
一种内建启动晶体管的功率晶体管芯片,适用于交/直流电压转换电路,包括:第一接脚;第二接脚;第三接脚;第四接脚;第五接脚;功率晶体管,用于作为所述交/直流电压转换电路的功率开关,具有第一源/漏极、第二源/漏极与功率晶体管栅极,所述第一源/漏极耦接所述第一接脚,所述第二源/漏极耦接所述第二接脚,所述功率晶体管栅极耦接所述第三接脚;金属氧化物半导体场效应晶体管,具有第五源/漏极、第六源/漏极与金属氧化物半导体场效应晶体管栅极,所述第五源/漏极耦接所述第一接脚,所述第六源/漏极耦接所述第四接脚;以及结型场效应晶体管,用于与所述金属氧化物半导体场效应晶体管一同作为所述交/直流电压转换电路的启动电路,具有第三源/漏极、第四源/漏极与结型场效应晶体管栅极,所述第三源/漏极耦接所述第一接脚,所述第四源/漏极耦接所述金属氧化物半导体场效应晶体管栅极,所述结型场效应晶体管栅极耦接所述第五接脚。 |
地址 |
中国台湾新竹县 |