| 发明名称 | 用于GaAs晶片的化学抛光溶液和化学抛光方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于GaAs晶片的化学抛光溶液和化学抛光方法。本发明的用于GaAs晶片化学抛光的化学抛光溶液，除水以外，其组成是二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、酸式焦磷酸盐、碳酸氢盐和碳酸盐。本发明的化学抛光方法，包括在化学抛光设备中，在所述抛光溶液存在下对晶片实施化学抛光。采用本发明的溶液和方法可以提高晶片质量、降低成本并能够降低对环境的污染。 | ||
| 申请公布号 | CN101781526A | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN200910001587.7 | 申请日期 | 2009.01.15 |
| 申请人 | AXT公司 | 发明人 | 谭开燮;古燕;王元立 |
| 分类号 | C09G1/18(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | C09G1/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 钟守期;唐铁军 |
| 主权项 | 一种用于GaAs晶片化学抛光的化学抛光溶液，除水以外，其组成是二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、酸式焦磷酸盐、碳酸氢盐和碳酸盐。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||