一种单晶棒直拉过程中除去杂质的方法

摘要

本发明涉及一种单晶棒直拉过程中除去杂质的方法，该方法是将多晶硅料放入石英坩埚中，逐渐升温至硅的熔点温度以上，多晶硅料开始溶化；当多晶硅料熔化到剩余很少的多晶硅料时，把炉内温度下降至中温，使剩余部分的多晶硅料溶化速度减缓或是不会被熔化，之后，漂浮在硅溶液表面上的熔点高于硅熔点温度的所有杂质，会逐渐并充分吸附在剩余部分未熔的多晶硅料上，然后插入籽晶，将吸附杂质的剩余部分的多晶硅硅料吊起即可。采用本发明方法，与原有技术相比，能减少1至2个小时的高温挥发时间，降低了能耗，而且高于硅熔点的所有杂质不被熔入硅溶液中，大大提高了拉制的单晶棒的纯度及质量。

主权项

一种单晶棒直拉过程中除去杂质的方法，其特征在于将多晶硅料放入石英坩埚中，逐渐升温至硅的熔点温度以上，多晶硅料开始溶化；当多晶硅料熔化到剩余很少的多晶硅料时，把炉内温度下降至中温，使剩余部分的多晶硅料溶化速度减缓或是不会被熔化，之后，漂浮在硅溶液表面上的熔点高于硅熔点温度的所有杂质，会逐渐并充分吸附在剩余部分未熔的多晶硅料上，然后插入籽晶，将吸附杂质的剩余部分的多晶硅硅料吊起即可。