| 发明名称 | 浅沟槽及其制造方法和浅沟槽隔离结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及浅沟槽及其制造方法和浅沟槽隔离结构。其中，浅沟槽的制造方法包括步骤：提供具有掩膜层的半导体衬底；刻蚀所述掩膜层，使得所述掩膜层在平行于浅沟槽宽度方向上的截面为长方形或正方形；以所述掩膜层为掩膜，利用含卤素的等离子体在半导体衬底上形成浅沟槽，所述浅沟槽的侧壁在其宽度方向的截面上内凹。与现有技术相比，本发明形成侧壁内凹的浅沟槽结构，更方便浅沟槽的填充。并且，利用截面为长方形或正方形的掩膜层作为刻蚀浅沟槽的掩膜，可以使得浅沟槽的原始设计尺寸与实际制造尺寸之间的偏差均一。 | ||
| 申请公布号 | CN101783313A | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN200910045977.4 | 申请日期 | 2009.01.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 韩秋华;王新鹏;张世谋 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种浅沟槽的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供具有掩膜层的半导体衬底；刻蚀所述掩膜层，使得所述掩膜层在平行于浅沟槽宽度方向上的截面为长方形或正方形；以所述掩膜层为掩膜，利用含卤素的等离子体在半导体衬底上形成浅沟槽，所述浅沟槽的侧壁在所述浅沟槽宽度方向的截面上内凹。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||