用于制造和分离半导体器件的方法

摘要

一种制造和分离半导体结构的方法，包括以下步骤：(a)局部地形成附着至支撑结构(550)的半导体结构(514)，局部形成半导体结构包括多个局部形成器件，其中，多个局部形成器件(500a，500b，500c)通过至少一个连接层相互连接；(b)在多个局部形成器件的至少一部分上形成局部掩模层；(c)蚀刻连接层以分离器件；以及(d)去除局部掩模层。本发明的优点包括比传统技术更高的产量。此外，可以使用更廉价的设备来分离器件。结果是每单位时间和金钱更高的器件生产率。

主权项

一种制造和分离半导体结构的方法，包括以下步骤：(a)局部地形成附着至支撑结构的半导体结构，所述局部形成半导体结构包括多个局部形成器件，其中，所述多个局部形成器件通过至少一个连接层相互连接；(b)在所述多个局部形成器件的至少一部分上形成局部掩模层；(c)蚀刻所述连接层以分离所述多个器件；以及(d)去除所述局部掩模层，其中，所述连接层包括在(c)蚀刻所述连接层的过程中可被金蚀刻剂蚀刻除去的Au层。