发明名称 |
由铝硅酸盐前体形成的低k值介电层 |
摘要 |
一种用于用铝硅酸盐前体形成高机械强度、低k值、层间介电材料使得铝容易地被结合到材料的硅基质中的方法,和一种包含一个或多个这样形成的高强度、低k值层间介电层的集成电路设备。 |
申请公布号 |
CN101053070B |
申请公布日期 |
2010.07.21 |
申请号 |
CN200580035778.5 |
申请日期 |
2005.11.08 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
M·古纳 |
分类号 |
H01L21/316(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/316(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
吕彩霞;韦欣华 |
主权项 |
一种形成低k值介电材料的方法,其包括:在沉积室中将前体共沉积到衬底上;前体中的至少一种包括多孔有机前体,和前体中的至少一种包括甲硅烷氧基铝基团,该甲硅烷氧基铝基团包括由氧原子键合在一起的硅原子和铝原子,并且该硅原子和该铝原子还键合至多个官能团,形成低k值介电层;结合2-5mol%铝以增加硬度;通过暴露于热、电子束或紫外线能量固化;和除去共沉积后仍然连接至甲硅烷氧基铝基团上的键合部位的官能团。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |