摘要 |
1. Корпус полупроводникового прибора, содержащий керамическое основание с последовательно нанесенными на него слоями из тугоплавких материалов и никеля, отличающийся тем, что на керамическое основание наносится золотое покрытие толщиной 1,5-2 мкм. ! 2. Корпус полупроводникового прибора по п.1, отличающийся тем, что пайка корпуса осуществляется после золочения керамического основания, а затем наносится золотое покрытие на спаянный корпус одним слоем без подслоя. |