| 摘要 |
<p>Transistor à effet de champ comprenant au moins une grille (1), une couche d'isolant (2), un drain (3), une source (4), un matériau semi-conducteur (50) reliant la source (4) au drain (3), la grille (1) et la couche d'isolant (2) entourant chacun l'ensemble formé par la source (4), le drain (3) et le matériau semi-conducteur, la couche d'isolant (2) étant agencé entre la grille (1) et ledit ensemble. Le drain (3) et la source (4) sont formés respectivement d'un premier et d'un deuxième conducteurs électriques agencés de manière parallèle et disjointe l'un à l'autre, les premier et deuxième conducteurs étant entourés par une couche du semi-conducteur (50) sur toute leur circonférence et sur au moins une partie de leur longueur.</p> |
