Halbleiterbauelement mit Verspannungsrelaxationsspalte zur Verbesserung der Chipgehäusewechselwirkungsstabilität

摘要

Durch Unterteilen einer einzelnen Chipfläche in individuelle Teilbereiche kann eine thermisch hervorgerufene Verspannung in jedem der Teilbereiche während des Betriebs komplexer integrierter Schaltungen verringert werden, wodurch die Gesamtzuverlässigkeit komplexer Metalisierungssysteme, die dielektrische Materialien mit kleinem ε oder ULK-Materialien aufweisen, verbessert werden kann. Folglich kann eine große Anzahl gestapelter Metallisierungsschichten in Verbindung mit einer großen lateralen Abmessung des Halbleiterchips im Vergleich zu konventionellen Strategien angewendet werden.