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发明名称 Einkristallwachstumsverfahren
摘要
申请公布号 DE19700517(B4) 申请公布日期 2010.07.15
申请号 DE19971000517 申请日期 1997.01.09
申请人 MITSUBISHI MATERIALS SILICON CORP.;MITSUBISHI MATERIALS CORP. 发明人 TAGUCHI, HIROAKI;ATAMI, TAKASHI;FURUYA, HISASHI;KIDA, MICHIO
分类号 C30B15/02;C30B15/04;C30B15/12;C30B29/06;C30B29/42;H01L21/208 主分类号 C30B15/02
代理机构 代理人
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