Verfahren zum Ausbilden eines Dotierstoffprofils

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Ausbilden eines von einer Oberfläche eines waferförmigen Halbleiterbautelements ausgehenden Dotierstoffprofils durch Einbringen von Dotierstoffatomen in das Halbleiterbauelement. Um kostengünstig Halbleiterbauelemente mit einem gewünschten Dotierstoff-Tiefenprofil herstellen zu können, wird vorgeschlagen, dass zunächst zur Ausbildung eines vorläufigen ersten Dotierstoffprofils auf oder in einem Bereich der Oberfläche eine Dotierstoff enthaltende Schicht ausgebildet wird und sodann mehrere eine entsprechende Schicht aufweisende Halbleiterbauelemente aufeinander liegend in Form eines Stapels zur Ausbildung eines im Vergleich zu dem ersten Dotierstoffprofil eine größere Tiefe aufweisenden zweiten Dotierstoffprofils einer Wärmebehandlung ausgesetzt werden.