| 摘要 |
<p>Ein Halbleitermodul mit einem oder mehreren Siliziumcarbiddiodenelementen (8), die auf einem Schaltelement (5) angebracht sind, ist bereitgestellt, wobei der Temperaturanstieg verringert ist durch geeignetes Anordnen jedes der Diodenelemente auf dem Schaltelement, um dadurch einen Wärmeableitungspfad für die jeweiligen Diodenelemente bereitzustellen. Die jeweiligen Diodenelemente sind auf einem nichtzentralen Abschnitt des Schaltelements angeordnet, um die Ableitung der Wärme zu erleichtern, die von jedem der Diodenelemente erzeugt wird, wodurch der Temperaturanstieg in dem Halbleitermodul verringert ist.</p> |
