发明名称 Vorrichtung und Verfahren zum Zwischenspeichern von Daten zwischen Speichercontroller und DRAM
摘要 <p>Es ist eine elektronische Halbleitervorrichtung zum Zwischenspeichern von Daten zwischen einem Speichercontroller und einem DRAM vorgesehen. Die elektronische Halbleitervorrichtung weist einen Phasenregelkreis (PLL), einen Phaseninterpolator zum Ausrichten einer Phase eines Ausgangstaktsignals in Reaktion auf ein Phasenausrichtungs-Steuerwort und eine nichtflüchtige Speicherstelle auf, die das Phasenausrichtungs-Steuerwort permanent speichert. Das Phasenausrichtungs-Steuerwort wird durch eine Anfangstrainingsprozedur der Halbleitervorrichtung unter vorbestimmten Trainingsbedingungen wenigstens eines Versorgungsspannungspegels und einer Temperatur bestimmt, und die vorbestimmten Trainingsbedingungen sind so eingestellt, dass die Phasenausrichtung einer Flanke des Ausgangstaktsignals bezüglich des zwischengespeicherten Datensignals optimiert ist.</p>
申请公布号 DE102009004565(A1) 申请公布日期 2010.07.15
申请号 DE20091004565 申请日期 2009.01.14
申请人 TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH 发明人 NAUJOKAT, JOERN
分类号 G11C7/22 主分类号 G11C7/22
代理机构 代理人
主权项
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