Verringern kritischer Abmessungen und Kontaktdurchführungen und Kontakten über der Bauteilebene von Halbleiterbauelementen

摘要

Es werden Kontaktelemente auf der Grundlage einer Maskenschicht gebildet, die Öffnungen aufweist, deren Breite durch Ätzen oder Abscheiden reduziert wird, wodurch die Prozesstoleranzbereiche für eine gegebene Lithographietechnik erweitert werden. Folglich können Ausbeuteverluste, die durch Kurzschlüsse in Kontaktebene modernster Halbleiterbauelemente hervorgerufen werden, verringert werden.