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Die Aufgabe wird gelöst durch ein erstes Verfahren zur Herstellung von epitaxierten Siliciumscheiben, bei dem eine Vielzahl von wenigstens auf ihren Vorderseiten polierten Siliciumscheiben bereitgestellt und nacheinander jeweils einzeln in einem Epitaxiereaktor beschichtet werden, indem jeweils eine der bereitgestellten Siliciumscheiben auf einem Suszeptor im Epitaxiereaktor abgelegt, in einem ersten Schritt nur unter Wasserstoffatmosphäre sowie in einem zweiten Schritt unter Zugabe eines Ätzmediums mit einem Fluss von 1,5-5 slm zur Wasserstoffatmosphäre, vorbehandelt wird, wobei bei beiden Schritten der Wasserstofffluss 1-100 slm beträgt, anschließend auf ihrer polierten Vorderseite epitaktisch beschichtet und aus dem Epitaxiereaktor entfernt wird. In einem zweiten erfindungsgemäßen Verfahren werden durch Injektoren in die Reaktorkammer eingebrachte Gasflüsse mittels Ventilen in eine äußere und eine innere Zone der Reaktorkammer verteilt, so dass der Gasfluss in der inneren Zone auf einen Bereich um das Zentrum der Siliciumscheibe und der Gasfluss in der äußeren Zone auf einen Randbereich der Siliciumscheibe wirkt, wobei die Verteilung des Ätzmediums in innerer und äußerer Zone I/O = 0 - 0,75 beträgt. Die Erfindung erlaubt die Herstellung einer Siliciumscheibe mit einer Vorderseite und einer Rückseite, wobei wenigstens ihre Vorderseite poliert und wenigstens auf ihrer Vorderseite eine epitaktische Schicht aufgebracht ist und die einen globalen Ebenheitswert GBIR ...
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