CMOS图像传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种能够防止转移晶体管的泄漏电流的CMOS图像传感器及其制备方法。本发明涉及一种包括转移晶体管的互补金属一氧化物-硅(CMOS)图像传感器。该转移晶体管包括在由光敏二极管区、有源区和器件隔离区限定的半导体衬底之上形成的外延层。可以在器件隔离区中形成器件隔离膜。可以在用于转移晶体管的外延层之上形成栅极，且在它们之间插入栅绝缘层。可以通过将第一掺杂剂离子注入到光敏二极管区的外延层中形成第一掺杂剂扩散区。可以在临近栅极的第一掺杂剂扩散区中形成势阱区。可以通过将第二掺杂剂离子注入到栅隔层的侧表面浮动扩散区的外延层中形成第二掺杂剂扩散区。

主权项

一种CMOS图像传感器，包括：外延层，形成在由光敏二极管区和有源区限定的半导体衬底之上；栅极，形成在外延层之上，在它们之间插入栅绝缘层；栅隔层，形成在栅极的侧壁之上；第一掺杂剂扩散区，通过将第一掺杂剂离子注入到光敏二极管区的外延层中而形成；势阱区，形成在临近栅隔层的第一掺杂剂扩散区中；第二掺杂剂扩散区，通过将第二掺杂剂离子注入到栅隔层的侧表面浮动扩散区的外延层中而形成，其中在光敏二极管区中产生的电子收集在势阱区中，以及所述第二掺杂剂扩散区的能级比第一掺杂剂扩散区中的势阱区外部的信号电子的能级低。