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发明名称 GROUND LEVEL PRECHARGE BIT LINE SCHEME FOR READ OPERATION IN SPIN TRANSFER TORQUE MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
摘要
申请公布号 EP2206121(A2) 申请公布日期 2010.07.14
申请号 EP20080839065 申请日期 2008.10.17
申请人 QUALCOMM INCORPORATED 发明人 YOON, SEI SEUNG;KANG, SEUNG H.
分类号 G11C11/16 主分类号 G11C11/16
代理机构 代理人
主权项
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