| 发明名称 | 一种高靶材利用率的矩形靶 | ||
| 摘要 | 一种高靶材利用率的矩形靶，用于磁控溅射金属镀膜；它的水冷座经绝缘板固定在靶基座上；四条钕铁硼永磁材料的边永磁体围成一个封闭的四边形框并嵌装在水冷座上，做为N极；一条钕铁硼永磁材料的中间永磁体位于四边形框中间并嵌装在水冷座上，做为S极；边永磁体为长方体且朝向四边形框内一侧上部为倒角，中间永磁体为长方体且对应两侧上部也为倒角；位于永磁体上方的靶材衬板固定在水冷座顶部，靶材经靶材压板固定安装在靶材衬板上。它具有很好的镀膜均匀性和较高的靶材利用率，还显著提高了溅射率和生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101775588A | 申请公布日期 | 2010.07.14 |
| 申请号 | CN201010104349.1 | 申请日期 | 2010.02.01 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 发明人 | 刘咸成;王慧勇;刘嘉宾;贾京英;龚杰宏 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人 | 马强 |
| 主权项 | 一种高靶材利用率的矩形靶，包括靶基座(10)，水冷座(8)经绝缘板(9)固定在靶基座(10)上；其特征是，四条钕铁硼永磁材料的边永磁体(7)围成一个封闭的四边形框并嵌装在所述水冷座(8)上，做为N极；一条钕铁硼永磁材料的中间永磁体(1)位于所述四边形框中间并嵌装在所述水冷座(8)上，做为S极；所述边永磁体(7)为长方体且朝向四边形框内一侧上部为倒角(14)，中间永磁体(1)为长方体且对应两侧上部也为倒角(15)；位于永磁体上方的靶材衬板(6)固定在水冷座(8)顶部且在靶材衬板(6)与水冷座(8)顶部之间装有密封圈(5)，靶材(2)经靶材压板(4)固定安装在靶材衬板(6)上。 | ||
| 地址 | 410111湖南省长沙市天心区新开铺路1025号 | ||