有机场效应晶体管和制造该晶体管的方法

摘要

该有机场效应晶体管包括由有机半导体材料制成的半导体层(10)。半导体层的第一部分中的载流子的迁移率μsup是半导体层的第二部分中的载流子的迁移率μinf的10倍，第一部分对应于半导体层的最接近于栅极的10％体积，第二部分对应于半导体层的最接近于漏极和源极的10％体积。

主权项

一种有机场效应晶体管，包括：-漏极和源极(6，8)，-半导体层(10；112)，布置在所述漏极和所述源极之间，由有机半导体材料制成，-至少一个栅极(22)，当电压VG被施加到所述栅极时，所述栅极能够创建电场，所述电场在所述半导体层中提高移动的载流子的密度以便在所述漏极和源极之间在所述半导体层中创建导电沟道，由此使得可以将所述晶体管从“截止”状态切换到“导通”状态，以及-电绝缘层(20)，置于所述栅极(22)和半导体层(10；112)之间，所述绝缘层与所述半导体层直接接触，其特征在于，所述半导体层在最接近于所述栅极处包括第一部分，所述第一部分的迁移率μsup大于所述半导体层在最接近于所述源极和所述漏极处的第二部分的迁移率μinf，所述第二部分置于所述第一部分与所述源极和漏极之间。