| 发明名称 | 闪存及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种闪存器件，具有单元区域和外围区域。在制造该闪存的方法中，将单元区域中的衬底刻蚀预定的深度，在单元区域中的衬底上形成第一多晶硅层和ONO层；以及在单元区域的ONO层及外围区域的衬底两者上形成第二多晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN101114617B | 申请公布日期 | 2010.07.14 |
| 申请号 | CN200710128742.2 | 申请日期 | 2007.07.12 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 洪志镐 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 夏凯;钟强 |
| 主权项 | 一种制造闪存的方法，包括：在外围区域的衬底上形成掩模层；利用该掩模层作为刻蚀掩模，将单元区域的衬底刻蚀预定的深度；其中，该预定的深度等于第一多晶硅层图形和ONO层的总厚度，并且，在该刻蚀处理之后，将该掩模层从外围区域的衬底去除，并且在衬底上形成隔离层和氧化物层；在单元区域中衬底的被刻蚀的部分上形成第一多晶硅层图形和ONO层；以及在单元区域的ONO层及外围区域的衬底上形成第二多晶硅层图形，其中，该单元区域的衬底比外围区域的衬底低预定的深度。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||