| 发明名称 | W-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及表面传导电子发射薄膜材料，公开了一种W-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法。它包括以下步骤：在N2/Ar混合气体氛围中，以玻璃为基体，同时以W靶与Si靶进行反应磁控溅射，沉积生成具有WNX导电相与SiNX绝缘相的W-Si-N纳米双相结构的表面传导电子发射薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101777469A | 申请公布日期 | 2010.07.14 |
| 申请号 | CN201010131981.5 | 申请日期 | 2010.03.25 |
| 申请人 | 西安交通大学 | 发明人 | 宋忠孝;史彦慧;吴胜利;徐可为;熊斯梁;刘录平;吴汇焱;马凌志;岳晴雯 |
| 分类号 | H01J9/02(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I | 主分类号 | H01J9/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 惠文轩 |
| 主权项 | 一种W-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在N2/Ar混合气体氛围中，以玻璃为基体，同时以W靶与Si靶进行反应磁控溅射，沉积生成具有WNX导电相与SiNX绝缘相的W-Si-N纳米双相结构的表面传导电子发射薄膜。 | ||
| 地址 | 710049陕西省西安市咸宁路28号 | ||