| 发明名称 | 半导体器件及用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法：在具有绝缘表面的基板上面形成沿第一方向延伸的字/位线；形成覆盖所述字/位线的绝缘膜；在所述绝缘膜中形成达到所述字/位线的接触孔；在所述绝缘膜上面形成导电膜；通过刻蚀所述导电膜在所述绝缘膜上面形成沿着与所述第一方向交叉延伸的第二方向延伸的位/字线和覆盖所述接触孔并与所述字/位线电气连接的电极，以及在所述绝缘膜上面形成在所述电极的端面和与所述电极端面相对的所述位/字线的端面之间的含有有机化合物的层。 | ||
| 申请公布号 | CN101777522A | 申请公布日期 | 2010.07.14 |
| 申请号 | CN200910246187.2 | 申请日期 | 2006.05.30 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 佐藤岳尚;加藤清 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张政权 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在具有绝缘表面的基板上面形成沿第一方向延伸的字线；形成覆盖所述字线的绝缘膜；在所述绝缘膜中形成达到所述字线的接触孔；在所述绝缘膜上面形成导电膜；通过刻蚀所述导电膜在所述绝缘膜上面形成沿着与所述第一方向交叉延伸的第二方向延伸的位线和覆盖所述接触孔并与所述字线电气连接的电极，以及在所述绝缘膜上面形成在所述电极的端面和与所述电极端面相对的所述位线的端面之间的含有有机化合物的层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||