发明名称 一种新型场发射器件支撑体结构
摘要 本发明涉及一种场发射器件支撑体结构,在金属基板(1)上制备阵列贯穿通道(2);在金属基板(1)上表面设置上阵列介质支撑柱(3);在金属基板(1)下表面同样设置下阵列介质支撑柱(4),上阵列介质支撑柱(3)和下阵列介质支撑柱(4)的位置相对应;上阵列介质支撑柱(3)、金属基板(1)接触部分设置粘结剂,下阵列介质支撑柱(4)和金属基板(1)接触部分也设置粘结剂,通过粘结剂高温烧结使金属基板(1)、上阵列介质支撑柱(3)和下阵列介质支撑柱(4)形成一个整体;形成整体的金属基板和支撑体放置于阳极基板(5)和阴极基板(6)之间,通过封接排气,形成器件内的真空环境。
申请公布号 CN101777474A 申请公布日期 2010.07.14
申请号 CN201010106320.7 申请日期 2010.02.02
申请人 东南大学 发明人 雷威;张晓兵;陈静;娄朝刚;王保平
分类号 H01J29/86(2006.01)I;H01J31/12(2006.01)I;H01J29/02(2006.01)I 主分类号 H01J29/86(2006.01)I
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人 柏尚春
主权项 一种场发射器件支撑体结构,其特征是在金属基板(1)上制备阵列贯穿通道(2);在金属基板(1)上表面设置上阵列介质支撑柱(3);在金属基板(1)下表面同样设置下阵列介质支撑柱(4),上阵列介质支撑柱(3)和下阵列介质支撑柱(4)的位置相对应;上阵列介质支撑柱(3)、金属基板(1)接触部分设置粘结剂,下阵列介质支撑柱(4)和金属基板(1)接触部分也设置粘结剂,通过粘结剂高温烧结使金属基板(1)、上阵列介质支撑柱(3)和下阵列介质支撑柱(4)形成一个整体;形成整体的金属基板和支撑体放置于阳极基板(5)和阴极基板(6)之间,通过封接排气,形成器件内的真空环境。
地址 210009江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号