发明名称 |
一种用于GaAs晶片的粗抛光溶液和粗抛光方法 |
摘要 |
本发明涉及用于GaAs晶片的机械化学粗抛光溶液和机械化学粗抛光方法,本发明的用于GaAs晶片的机械化学粗抛光溶液,除水以外,包括二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、焦磷酸盐、碳酸氢盐和硅溶胶。本发明的机械化学粗抛光方法,包括在机械化学粗抛光设备中,在所述抛光溶液存在下,对晶片实施机械化学粗抛光。采用本发明的溶液和方法,可以提高GaAs晶片的平整度质量,以及晶片表面镜面质量,同时能够降低机械化学粗抛光作业成本及对环境的影响。 |
申请公布号 |
CN101775257A |
申请公布日期 |
2010.07.14 |
申请号 |
CN200910000511.2 |
申请日期 |
2009.01.14 |
申请人 |
AXT公司 |
发明人 |
谭开燮;张捷;杨三贵 |
分类号 |
C09G1/18(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I |
主分类号 |
C09G1/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京北翔知识产权代理有限公司 11285 |
代理人 |
钟守期;唐铁军 |
主权项 |
一种用于GaAs晶片的机械化学粗抛光溶液,除水以外,包括二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、焦磷酸盐、碳酸氢盐和硅溶胶。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |