发明名称 一种用于GaAs晶片的粗抛光溶液和粗抛光方法
摘要 本发明涉及用于GaAs晶片的机械化学粗抛光溶液和机械化学粗抛光方法,本发明的用于GaAs晶片的机械化学粗抛光溶液,除水以外,包括二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、焦磷酸盐、碳酸氢盐和硅溶胶。本发明的机械化学粗抛光方法,包括在机械化学粗抛光设备中,在所述抛光溶液存在下,对晶片实施机械化学粗抛光。采用本发明的溶液和方法,可以提高GaAs晶片的平整度质量,以及晶片表面镜面质量,同时能够降低机械化学粗抛光作业成本及对环境的影响。
申请公布号 CN101775257A 申请公布日期 2010.07.14
申请号 CN200910000511.2 申请日期 2009.01.14
申请人 AXT公司 发明人 谭开燮;张捷;杨三贵
分类号 C09G1/18(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I 主分类号 C09G1/18(2006.01)I
代理机构 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人 钟守期;唐铁军
主权项 一种用于GaAs晶片的机械化学粗抛光溶液,除水以外,包括二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、焦磷酸盐、碳酸氢盐和硅溶胶。
地址 美国加利福尼亚州