| 发明名称 | 一种相变存储器的阵列结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种相变存储器的阵列结构及其制备方法。该相变存储器的阵列结构利用竖直p-n结二极管作为相变存储单元的陈列器件，并用金属硅化物埋层作为连接连续多个竖直p-n结二极管阵列器件的埋层字线。该相变存储器的阵列结构可以降低埋层字线的电阻率、提高相变存储器的集成度以及提高相变存储器的存取速度，而且，该金属硅化物埋层的形成工艺简单，并与通常的集成电路工艺兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN101777571A | 申请公布日期 | 2010.07.14 |
| 申请号 | CN200910247551.7 | 申请日期 | 2009.12.30 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 吴东平;张世理 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种相变存储器的阵列结构，其特征在于，该结构利用竖直p-n结二极管作为相变存储单元的阵列器件，并用金属硅化物埋层作为连接连续多个竖直p-n二极管阵列器件的埋层字线。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||