一种晶体硅太阳能电池边缘刻蚀工艺

摘要

本发明属于太阳能电池制作工艺领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池边缘刻蚀工艺，包括边缘刻蚀及残余物清除步骤，本发明采用喷涂腐蚀性化学浆料方法对硅片边缘进行刻蚀，可将硅片表面四周刻蚀量控制在0.2mm以内，能大大降低硅片表面PN结损失，增加硅片吸光面的光吸收，提高电池的光电效率，工艺稳定，易于控制。

主权项

一种晶体硅太阳能电池边缘刻蚀工艺，包括边缘刻蚀及残余物清除步骤，其特征在于，使用喷墨设备将腐蚀性浆料喷涂于扩散后并去除磷硅玻璃的硅片表面四周，然后将硅片进行干燥，再用去离子水清洗硅片边缘的残留物。