| 发明名称 | 用于将Si-H化合物转化成Si-卤素化合物的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于将具有Si-H键的硅化合物(H)转化成具有Si-卤素键的硅化合物(C1)的方法，其中在气相中在存在γ-氧化铝的情况下使硅化合物(H)与卤化氢反应。 | ||
| 申请公布号 | CN101778854A | 申请公布日期 | 2010.07.14 |
| 申请号 | CN200880023219.6 | 申请日期 | 2008.06.11 |
| 申请人 | 瓦克化学股份公司 | 发明人 | K·毛特纳;W·盖斯勒;G·塔梅 |
| 分类号 | C07F7/12(2006.01)I | 主分类号 | C07F7/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 用于将具有Si-H键的硅化合物(H)转化成具有Si-卤素键的硅化合物(Cl)的方法，其中在气相中在存在γ-氧化铝的情况下使硅化合物(H)与卤化氢反应。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||