高效抗干扰LED芯片的制备方法

摘要

本发明公开了一种高效抗干扰LED芯片的制备方法，属于LED芯片制造技术领域，本发明所要解决的问题是：在现有LED芯片上蒸镀有能提高LED出光效率及防止干扰光双层薄膜的的方法，采用的方案为：高效抗干扰LED芯片的制备方法，按照以下步骤制备：第一步，将LED芯片清洗干净；第二步，将LED芯片放入镀膜机，放入TiO2靶材和ZnS-MgF靶材；第三步，抽真空至2×10-2Pa，开始蒸镀；第四步，用光学监控法，先蒸镀TiO2薄膜，再蒸镀ZnS-MgF薄膜，待LED芯片上薄膜总厚度为蓝光波长的四分之一时，关挡板，停止蒸镀，上述制备方法中第二步只放入TiO2靶材，第四步，只蒸镀TiO2薄膜，镀两层，两层薄膜的总厚度仍为蓝光波长的四分之一，上述蒸镀的方法采取电子枪蒸发沉积薄膜方法；本发明可应用到制造照明用LED芯片的领域中。

主权项

高效抗干扰LED芯片的制备方法，其特征在于按照以下步骤制备：第一步，将LED芯片清洗干净；第二步，将LED芯片放入镀膜机，放入TiO2靶材和ZnS-MgF靶材；第三步，抽真空至2×10-2Pa，开始蒸镀；第四步，用光学监控法，先蒸镀TiO2薄膜，再蒸镀ZnS-MgF薄膜，待LED芯片上薄膜总厚度为蓝光波长的四分之一时，关挡板，停止蒸镀。