发明名称 |
发光元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明披露了一种能在低驱动电压下工作,并且与传统的发光元件相比具有较长使用期的发光元件以及这种发光元件的制造方法。披露的发光元件在一对电极之间含有复合层;复合层中至少有一层含有选自半导体氧化物、金属氧化物的化合物以及具有较高空穴输送性质的化合物。这种发光元件能抑制含有一种选自半导体氧化物、金属氧化物的化合物以及具有较高空穴输送性质的化合物的层的结晶。由此,可以延长发光元件的使用寿命。 |
申请公布号 |
CN101777628A |
申请公布日期 |
2010.07.14 |
申请号 |
CN200910266838.4 |
申请日期 |
2004.09.24 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
池田寿雄;坂田淳一郎 |
分类号 |
H01L51/50(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陈哲锋 |
主权项 |
发光元件包含:第一电极,含有有机化合物和氧化钼的第一层,所述有机化合物和氧化钼混合在所述第一层中,含有发光化合物的发光层,以及第二电极,其中,所述第一层和所述发光层夹在所述第一电极和第二电极之间,其中,所述有机化合物的空穴输送性质高于所述有机化合物的电子输送性质,其中,所述有机化合物和氧化钼在所述第一层中形成电荷转移络合物。 |
地址 |
日本神奈川县 |