发明名称 |
热电子发射极、制备其的方法和包括其的X射线源 |
摘要 |
提出了一种热电子发射极(1),其包括发射极部分(2),该发射极部分(2)具有基本上平的电子发射表面(3)和与其毗连的边界表面(5)。为了更好的吸收由外力引起的主应力载荷(L),为发射极部分提供具有细长交错晶粒的晶粒结构的各向异性多晶材料,该细长交错晶粒的纵向方向(G)的取向基本上垂直于在正常工作情况下发生的主应力载荷的方向(L)。 |
申请公布号 |
CN101779265A |
申请公布日期 |
2010.07.14 |
申请号 |
CN200880025575.1 |
申请日期 |
2008.07.18 |
申请人 |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
发明人 |
Z·泰尔莱茨卡;S·胡特曼;B·希尔克 |
分类号 |
H01J35/06(2006.01)I;H01J9/04(2006.01)I;H01J1/13(2006.01)I |
主分类号 |
H01J35/06(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
王英;刘炳胜 |
主权项 |
一种热电子发射极(1),包括:发射极部分(2),其包括基本上平的电子发射表面(3)和与所述电子发射表面毗连的边界表面(5);加热布置,其用于将所述发射表面加热至进行热电子发射的温度;其中,所述发射极部分包括具有细长交错晶粒(17)的晶体结构的各向异性多晶材料,所述细长交错晶粒(17)的尺寸在纵向方向(G)比在横向方向大;其中,所述纵向方向的取向基本上垂直于所述发射器正常工作期间发生主应力载荷的方向(L)。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |