一种GaN基发光二极管用的荧光粉及其制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN基发光二极管用的荧光粉及其制备方法。该荧光粉的化学组成式为A(M1-x-yCexREy)Ga3S6O，其中A为Ca、Sr、Ba中至少一种元素；M为La、Y、Gd中至少一种元素；RE代表Eu，Pr，Sm，Tb，Dy中至少一种元素；x，y分别为Ce和RE相对M所占的摩尔百分比系数，0＜x＜1，0≤y＜1。该荧光粉的制备是按化学组成式准确称量原料，研细混和均匀后，在保护气氛和850～1100℃条件下灼烧1～4小时，冷却后粉碎过筛而成。该荧光粉可在300～500nm光线(尤其是400nm和460nm)激发下发出420～700nm光线。适用于近紫外或蓝光LED芯片，且具有激发谱范围比较宽，发光亮度高，制备方法简单方便等特点。

主权项

一种GaN基发光二极管用的荧光粉，其特征是该荧光粉的化学组成式为A(M1-x-yCexREy)Ga3S6O，其中A为Ca、Sr、Ba中至少一种元素；M为La、Y、Gd中至少一种元素；RE代表Eu、Dy中至少一种元素；x，y分别为Ce和RE相对M所占的摩尔百分比系数，0＜x≤0.2，0≤y≤0.09。