一种具有保护涂层的石墨基座及其制备方法

摘要

本发明提供一种具有保护涂层的石墨基座及其制备方法，结合原位化学气相反应渗透+化学气相沉积两步法在多孔石墨基座表面制备碳化硅涂层。该制备方法按如下步骤进行：a.将石墨基座基体置入反应室中，当反应室温度为1300～1600℃、真空为200～5000Pa条件下，按照SiCl4∶H2＝1∶5～50体积比向反应室内通入SiCl4气和H2气，氢气流量为200-1000ml/min，通气时间为0.5～2小时，原位气相反应在石墨基座基体上渗透一层初级SiC涂层；然后b.按照CH3SiCl3∶H2＝1∶5～100体积比向反应室内通入CH3SiCl3气和H2气，控制氢气流量为200-1000ml/min，通气时间为1～50小时，裂解后在初级SiC涂层表面外沉积一层二级SiC涂层。

主权项

一种具有保护涂层的石墨基座，其特征在于石墨基座基体(1)表面外渗透有初级SiC涂层(2)，在初级SiC涂层(2)外沉积有一层二级SiC涂层(3)。