发明名称 |
Nb-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及表面传导电子发射薄膜材料,公开了一种Nb-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法。它包括以下步骤:在N2/Ar混合气体氛围中,以玻璃为基体,同时对Nb靶与Si靶进行反应磁控溅射,沉积生成具有NbN导电相与SiNx绝缘相的Nb-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜。 |
申请公布号 |
CN101775589A |
申请公布日期 |
2010.07.14 |
申请号 |
CN201010131891.6 |
申请日期 |
2010.03.25 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
宋忠孝;吴汇焱;吴胜利;徐可为;史彦慧;刘纯亮;刘录平;马凌志;岳晴雯 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
惠文轩 |
主权项 |
一种Nb-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法,其特征在于:在N2/Ar混合气体氛围中,以玻璃为基体,同时对Nb靶与Si靶进行反应磁控溅射,沉积生成具有NbN导电相与SiNx绝缘相的Nb-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜。 |
地址 |
710049陕西省西安市咸宁路28号 |