| 发明名称 | 带浅表外延层的外延片形成方法及其外延片 | ||
| 摘要 | 一种形成用于MOSFET的外延片的方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)形成第一掺杂外延层；(b)在所述第一外延层上形成第二掺杂外延层，其中所述第二外延层的厚度小于第一外延层，并且其掺杂率低于所述第一外延层的掺杂率。本发明的外延片形成方法形成两层不同的外延层。其中第二外延层较浅并且掺杂率较低，从而使得采用所形成之外延片的MOSFET的栅极氧化物上流经的电流较少，从而提供所述MOSFET的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN101777498A | 申请公布日期 | 2010.07.14 |
| 申请号 | CN201010022705.5 | 申请日期 | 2010.01.12 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 吴小利;许丹 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种形成用于MOSFET的外延片的方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)形成第一掺杂外延层；(b)在所述第一外延层上形成第二掺杂外延层，其中所述第二外延层的厚度小于第一外延层，并且其掺杂率低于所述第一外延层的掺杂率。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||