发明名称 光刻设备和器件制造方法
摘要 一种光刻系统包括:被配置以产生辐射的源,该源包括阴极和阳极,阴极和阳极被配置以在位于放电空间中的燃料中产生放电,以便产生等离子体,所述放电空间包括在使用中被配置以调整等离子体的辐射发射的物质,以便控制等离子体限定的体积;图案支撑件,其被配置以保持图案形成装置,该图案形成装置被配置以使辐射形成图案,以形成图案化的辐射束;衬底支撑件,其被配置以支撑衬底;以及投影系统,其被配置以将图案化的辐射束投影到衬底上。
申请公布号 CN101779524A 申请公布日期 2010.07.14
申请号 CN200880102398.2 申请日期 2008.08.05
申请人 ASML荷兰有限公司 发明人 V·V·伊万诺夫;V·Y·班尼恩;K·N·克什烈夫;V·M·克里夫特逊
分类号 H05G2/00(2006.01)I 主分类号 H05G2/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 王新华
主权项 一种产生用于光刻设备中的辐射的方法,所述方法包括步骤:将燃料供给到位于阴极和阳极之间的放电空间中;在所述阴极和所述阳极之间在所述燃料中产生放电以形成等离子体;和通过控制由所述等离子体的辐射发射来调整由所述等离子体限定的体积,所述调整步骤包括将物质供给到所述等离子体以控制所述辐射发射。
地址 荷兰维德霍温