发明名称 |
内建测试电路的半导体芯片 |
摘要 |
一种内建测试电路的半导体芯片,包括:一有源电路区域;一包围该有源电路区域的封环结构;一第一电路结构,其制作在该半导体芯片位于该封环结构外侧的一第一角落,并且该第一电路结构与该封环结构构成电连接组态,其中该第一电路结构具有一第一连接垫;以及一第二电路结构,其制作在该半导体芯片位于该封环结构外侧的一第二角落,并且该第二电路结构与该封环结构构成电连接组态,其中该第二电路结构具有一第二连接垫。 |
申请公布号 |
CN101320730B |
申请公布日期 |
2010.07.14 |
申请号 |
CN200810134036.3 |
申请日期 |
2005.08.05 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
饶瑞孟;郭建利 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种内建测试电路的半导体芯片,包括:一有源电路区域;一包围该有源电路区域的封环结构;一第一电路结构,其制作在该半导体芯片位于该封环结构外侧的一角落,并且该第一电路结构不与该封环结构构成电连接组态,其中该第一电路结构具有一第一连接垫;以及一第二电路结构,其制作在该半导体芯片位于该封环结构外侧的该角落,并靠近该第一电路结构,其中该第二电路结构与该第一电路结构通过形成在硅基底中的扩散导电区域或一第一层金属成电连接组态,且该第二电路结构具有一第二连接垫。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |