| 发明名称 | 一种MEMS原子腔芯片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种MEMS原子腔芯片及其制备方法。该芯片包含两片玻璃衬底和一片硅衬底，在玻璃衬底上集成制备出加热丝和射频线圈，并且通过激光穿孔和电镀工艺加工出连接正面和反面的金属引线。在硅衬底上集成制备出原子腔空间和热隔离环。在厌氧箱内完成碱金属的注入，之后再完成气氛的注入和键合，实现高浓度补偿气氛的注入。本发明具有高的集成度，实现了加热丝、射频线圈和热隔离结构的片上集成。除可用于MEMS原子钟和MEMS原子磁强计外，也可用于MEMS原子陀螺。 | ||
| 申请公布号 | CN101774529A | 申请公布日期 | 2010.07.14 |
| 申请号 | CN201010101571.6 | 申请日期 | 2010.01.26 |
| 申请人 | 北京航空航天大学 | 发明人 | 董海峰;房建成;周斌权;万双爱;秦杰 |
| 分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人 | 成金玉;卢纪 |
| 主权项 | 一种MEMS原子腔芯片，其特征在于：包括两片结构完全相同的玻璃衬底(4)和位于两片结构完全相同的玻璃衬底(4)之间的硅衬底(5)，两片玻璃衬底(4)和一片硅衬底(5)键合在一起形成热隔离原子腔(1)；每片玻璃衬底(4)的正面有射频线圈(2)，反面有加热丝(9)，射频线圈(2)和加热丝(9)采用MEMS工艺加工，实现片上集成；每片玻璃衬底(4)上均有电连接通孔(6)，通过电连接通孔(6)内电镀的金属实现玻璃衬底(4)正反面的电连接，通过金属表面的引线(3)将电极引出到焊盘(12)；每片玻璃衬底(4)上有热隔离通孔(10)，用于热隔离；硅衬底(5)中间为腔体空间(8)，腔体空间(8)外为热隔离环(11)；腔体空间(8)内壁凝结碱金属(7)，用来产生气态的碱金属原子。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区学院路37号 | ||