| 发明名称 |
一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法。该方法包括如下步骤：在籽晶成锥时，初始生长温度下降到溶液饱和点下0.5℃开始成锥，控制降温速率为0.05℃/天；籽晶闭锥后，采用分阶段降温模式，晶体闭锥至50℃，保持降温速率0.05℃/天；50℃至35℃，保持降温速率0.1℃/天，35℃至室温，保持降温速率0.15℃/天；晶体转动模式按照“加速-正转-减速-停转-加速-反转-减速-停转”循环顺序，时间间隔为“20秒-60秒-20秒-20秒-20秒-60秒-20秒-20秒”的模式转动籽晶，保持正反转速率为40-60转/分。 |
| 申请公布号 |
CN101775651A |
申请公布日期 |
2010.07.14 |
| 申请号 |
CN200810071779.0 |
申请日期 |
2009.01.09 |
| 申请人 |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人 |
李国辉;李征东;苏根博;贺友平;林秀钦;庄欣欣 |
| 分类号 |
C30B29/14(2006.01)I;C30B7/08(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/14(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法，包括如下步骤：(1)在籽晶成锥时，初始生长温度下降到溶液饱和点下0.5℃开始成锥，控制降温速率为0.05℃/天至籽晶闭锥；(2)籽晶闭锥后，采用分阶段降温模式，晶体闭锥至50℃，保持降温速率0.05℃/天；50℃至35℃，保持降温速率0.1℃/天，35℃至室温，保持降温速率0.15℃/天；(3)晶体转动模式按照“加速-正转-减速-停转-加速-反转-减速-停转”循环顺序，时间间隔为“20秒-60秒-20秒-20秒-20秒-60秒-20秒-20秒”的模式转动籽晶，正反转速率为40-60转/分。 |
| 地址 |
350002福建省福州市杨桥西路155号 |
