发明名称 |
通孔刻蚀方法 |
摘要 |
本发明公开了一种通孔刻蚀方法,下层金属表面形成包括顺序沉积的刻蚀终止层、第一保护层、第二保护层及图案化的光致抗蚀剂层的通孔刻蚀结构,第一次刻蚀停止在第一保护层中;然后移除图案化的光致抗蚀剂层,进行清洗;最后,刻蚀第一保护层和刻蚀终止层。由于完成第一次刻蚀后,停止层的厚度包括刻蚀终止层和剩余的第一保护层之和,虽然剩余的第一保护层的表面也会同样受到损伤,形成不均匀的表面,但是,在接下来的移除图案化的光致抗蚀剂层和抗反射涂层过程中,氧气的能量不足以穿过这些小丘缝隙对下层金属100造成氧化,所以,下层金属层不会被损伤,从而避免了下层金属被氧化而形成的缺陷,保证了后续工艺的可靠性。 |
申请公布号 |
CN101777511A |
申请公布日期 |
2010.07.14 |
申请号 |
CN200910045140.X |
申请日期 |
2009.01.09 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
康劲 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
王一斌;王琦 |
主权项 |
一种通孔刻蚀方法,在下层金属表面顺序沉积的刻蚀终止层、第一保护层、第二保护层及图案化的光致抗蚀剂层的通孔刻蚀结构,其特征在于,还包括:顺序刻蚀第二保护层和部分第一保护层;移除图案化的光致抗蚀剂层,进行清洗;刻蚀剩余的第一保护层和刻蚀终止层。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张江路18号 |