发明名称 |
一种激光晶体及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及晶体材料领域,尤其涉及一种应用于激光领域的晶体材料。本发明的激光晶体是采用提拉法生长的RE:NaBi(Mo1-xWxO4)2(RE=Nd3+,Er3+、Cr3+或Cr4+)激光晶体,用于制作激光增益介质或被动调Q元件,可以获得FOM值为正、负或零值的特性。应用该晶体制作的微片激光增益介质或被动调Q元件,将具有对温度变化敏感性低的特点,如用于制作单纵模激光器,可获得波长稳定性非常高的单纵模连续或脉冲激光输出,同时还可以在不增加多于介质的前提下与非线性晶体配合使用,通过调整x值、晶体温度、晶体长度与非线性晶体的长度比例来获得波长稳定性更高的其他波长激光输出。 |
申请公布号 |
CN101775655A |
申请公布日期 |
2010.07.14 |
申请号 |
CN201010019476.1 |
申请日期 |
2010.01.13 |
申请人 |
福州高意通讯有限公司 |
发明人 |
吴砺;凌吉武;陈燕平;贺坤;卢秀爱;陈卫民 |
分类号 |
C30B29/22(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/22(2006.01)I |
代理机构 |
厦门市诚得知识产权代理事务所 35209 |
代理人 |
方惠春;黄国强 |
主权项 |
一种激光晶体,其特征在于,所述的激光晶体是:在NaBi(Mo1-xWxO4)2晶体中掺杂激活离子RE,得到RE:NaBi(Mo1-xWxO4)2晶体,其中激活离子RE为Nd3+、Er3+、Cr3+或Cr4+一类具有激光激活特性的离子,所述的RE:NaBi(Mo1-xWxO4)2晶体,属于四方晶系,具有I 4(1)/a(C4h6)空间群结构,所述的激活离子RE取代晶体中Bi3+离子的晶格位置。 |
地址 |
360014福建省福州市晋安区福兴大道39号 |