垂直发光二极管的制造方法

摘要

本发明公开了半导体垂直发光二极管(Vertical Light EmittingDiode，VLED)器件的制造方法，所述器件在其n型掺杂层与p型掺杂层之间设有活化层；以及在所述VLED器件的n型掺杂层表面其上固定有多个球体。

主权项

一种半导体垂直发光二极管(VLED)器件的制造方法，包括步骤：形成所述VLED器件的多重层磊晶结构，所述多重层磊晶结构包括p型氮化镓(p-GaN)层、活化层、及n型氮化镓(n-GaN)层，其中所述活化层位于所述p型氮化镓层与所述n型氮化镓层之间；形成金属载体层，以使所述p型氮化镓层位于所述活化层与所述金属载体层之间；以及在所述VLED器件的所述n型氮化镓层的表面上设置多个球体，其中通过所述球体的设置而使所述n型氮化镓层的所述表面粗糙化，来自所述VLED器件内部的光由所述n型氮化镓层放射出来，并透过所述球体而散射至所述VLED器件的外部，并且其中所述n型氮化镓层的厚度是介于2-6微米之间，而所述p型氮化镓层的厚度是介于0.05-0.5微米之间。