异质结双极晶体管

摘要

本发明的目的在于提供可以再现性良好且高成品率地制造的、在抗击穿性上优良的异质结双极晶体管，其特征在于，具备辅助集电极层、集电极层、以及具有比构成基极层的半导体还大的能带间隙的发射极层；集电极层具有形成在辅助集电极层上的第1集电极层、形成在第1集电极层上的第2集电极层、以及形成在第2集电极层和基极层之间的第3集电极层；构成第1集电极层的半导体不同于构成第3集电极层以及第2集电极层的半导体；第2集电极层的杂质浓度比辅助集电极层的杂质浓度还低，且比第3集电极层的杂质浓度还高。

主权项

一种异质结双极晶体管，其特征在于，包括：辅助集电极层；集电极层，形成在上述辅助集电极层上；基极层，形成在上述集电极层上；以及发射极层，形成在上述基极层上，由具有比构成上述基极层的半导体还大的能带间隙的半导体构成；上述集电极层具有形成在上述辅助集电极层上的第1集电极层、形成在上述第1集电极层上的第2集电极层、以及形成在上述第2集电极层和上述基极层之间的第3集电极层；构成上述第1集电极层的半导体不同于构成上述第3集电极层以及第2集电极层的半导体；上述第2集电极层的杂质浓度比上述辅助集电极层的杂质浓度还低，且比上述第3集电极层的杂质浓度还高；上述第1集电极层由与上述辅助集电极层相接的无掺杂或掺杂的InGaP层以及与上述第2集电极层相接的杂质浓度比上述InGaP层的杂质浓度还高的半导体层构成。