发明名称 一种用于大功率LED封装的高导热基板及制备方法
摘要 本发明提供一种用于大功率LED封装的高导热基板及制备方法,该方法按如下步骤进行:a.取铝箔或铜箔,在其中之一面涂覆含聚硅氧烷或聚硅氮烷的复合材料,然后在惰性气体保护下,400~600℃烧结成含聚硅氧烷的高导热绝缘涂层或含聚硅氮烷的高导热绝缘涂层;b.在含聚硅氧烷的高导热绝缘涂层或含聚硅氮烷的高导热绝缘涂层表面粘贴上留有线路相对应的绝缘膜,或者在含聚硅氧烷的高导热绝缘涂层或含聚硅氮烷的高导热绝缘涂层表面用光刻胶刻上线路后产生导电层,然后将光刻胶洗掉,再在线路上物理镀、化学敏化或印刷上含有导电图形的导电层,然后揭去绝缘膜;c.最后在导电层外湿法镀金属层,得产品。
申请公布号 CN101777621A 申请公布日期 2010.07.14
申请号 CN201010011493.0 申请日期 2010.01.19
申请人 山东天诺光电材料有限公司 发明人 耿秋菊;田民波;朱焰焰;袁玉柱
分类号 H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I 主分类号 H01L33/62(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种用于大功率LED封装的高导热基板,其特征在于在铝箔或铜箔(1)的其中之一面连有烧结成含聚硅氧烷的绝缘涂层或含聚硅氮烷的绝缘涂层(2),绝缘涂层(2)外连有导电层(4),导电层(4)外镀有金属层(5)。
地址 250300山东省济南市长清区济南经济开发区时代路南首789号