| 发明名称 | 一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法，该方法为利用不同的电压对相变存储器进行Reset操作，然后进行Set操作，测得Reset操作的电压-电阻曲线，Set操作的电压-电流曲线，和Set态的电流-电压曲线，并根据相变存储器的电阻-电压-电流关系方程最终获得晶化率的值。本发明在相变电阻被电流或电压加热发生相变时，其相变区电阻晶化率进行计算，并通过对相变区电阻晶化率的计算确定加热电流或电压与加热时间的关系；本发明还可以为相变过程中阻值的变化提供理论指导，同时为多值存储的研究提供了一种解决方案。 | ||
| 申请公布号 | CN101777388A | 申请公布日期 | 2010.07.14 |
| 申请号 | CN201010022600.X | 申请日期 | 2010.01.08 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 蔡道林;宋志棠;陈后鹏;陈小刚 |
| 分类号 | G11C29/00(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟;冯珺 |
| 主权项 | 一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法，其特征在于：所述方法为利用不同的电压对相变存储器进行Reset操作，然后进行Set操作，测得Reset操作的电压-电阻曲线，Set操作的电压-电流曲线，和Set态的电流-电压曲线，并根据相变存储器的电阻-电压-电流关系方程最终获得晶化率的值。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||